申報(bào)
指南
2020年度廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃“芯片、軟件與計(jì)算”（芯片類）重大專項(xiàng)項(xiàng)目
2020 年度共設(shè)置EDA 技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用、集成電路制造工藝、異構(gòu)封裝技術(shù)、裝備及零部件、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)五個(gè)專題17 個(gè)項(xiàng)目方向，擬支持不超過(guò)22 項(xiàng)，項(xiàng)目實(shí)施周期為3～4 年。
專題一項(xiàng)目4 與專題二項(xiàng)目2 選取該領(lǐng)域有優(yōu)勢(shì)的單位定向委托實(shí)施。
申報(bào)時(shí)間：
申報(bào)單位網(wǎng)上集中申報(bào)時(shí)間：
2020年8月7日～9月7日17:00
主管部門(mén)網(wǎng)上審核推薦截止時(shí)間：
2020年9月13日17:00
專題一：EDA工具技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用（專題編號(hào)：20200127）
項(xiàng)目1：數(shù)字芯片設(shè)計(jì)的EDA 技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用
研究?jī)?nèi)容●●
以提升廣東省數(shù)字芯片（包括但不限于：CPU、GPU、FPGA等高端通用芯片、各類處理器，物聯(lián)網(wǎng)智能硬件核心芯片、車規(guī)級(jí)AI（人工智能）芯片等專用芯片，以及面向通信、人工智能、超高清視頻、汽車、衛(wèi)星應(yīng)用、智能家居、智慧醫(yī)療、電子辦公等各類系統(tǒng)級(jí)SoC芯片）設(shè)計(jì)水平為目標(biāo)，通過(guò)EDA工具的優(yōu)化和創(chuàng)新，重點(diǎn)支撐定制架構(gòu)、芯片安全、低功耗、異構(gòu)計(jì)算、硬件加速等芯片核心關(guān)鍵技術(shù)的攻克。
開(kāi)展集成電路設(shè)計(jì)方法學(xué)研究，針對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)數(shù)字芯片設(shè)計(jì)中設(shè)計(jì)流程多變，時(shí)序收斂要求高，布線密度大，功能和性能驗(yàn)證復(fù)雜度高等設(shè)計(jì)方法問(wèn)題，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，開(kāi)發(fā)與芯片設(shè)計(jì)核心關(guān)鍵技術(shù)相關(guān)的EDA工具，包括但不限于設(shè)計(jì)流程自動(dòng)化、硬件描述和高層次綜合的編程語(yǔ)言與形式化驗(yàn)證、編程模型與編譯映射、邏輯仿真、邏輯綜合、仿真驗(yàn)證、布局布線等工具。
將開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新EDA工具推廣應(yīng)用至數(shù)字集成電路芯片設(shè)計(jì)中，提升億門(mén)級(jí)數(shù)字芯片的設(shè)計(jì)質(zhì)量及效率，并在芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中對(duì)EDA工具進(jìn)行驗(yàn)證及優(yōu)化。
申報(bào)要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)芯片設(shè)計(jì)單位與EDA工具研發(fā)單位聯(lián)合，EDA工具研發(fā)單位承擔(dān)不低于20%的工作量。
支持強(qiáng)度●●
擬支持2～3項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。
項(xiàng)目2：模擬或數(shù)?；旌霞呻娐沸酒O(shè)計(jì)的EDA 技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用
研究?jī)?nèi)容●●
以提升廣東省模擬或數(shù)?；旌闲酒òǖ幌抻冢?/P>
功率器件、傳感器、射頻電路、顯示驅(qū)動(dòng)電路、電源管理電路、毫米波電路等芯片）設(shè)計(jì)水平為目標(biāo)，通過(guò)EDA工具的優(yōu)化和創(chuàng)新，重點(diǎn)支撐新工藝、新架構(gòu)、信號(hào)完整性、芯片穩(wěn)定性、異質(zhì)集成等芯片核心關(guān)鍵技術(shù)的攻克。
開(kāi)展集成電路設(shè)計(jì)方法學(xué)研究，針對(duì)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)或特色工藝節(jié)點(diǎn)的模擬或數(shù)模混合集成電路芯片設(shè)計(jì)中自動(dòng)化程度偏低，計(jì)算機(jī)仿真、驗(yàn)證復(fù)雜度高等設(shè)計(jì)方法問(wèn)題，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，開(kāi)發(fā)與芯片設(shè)計(jì)核心關(guān)鍵技術(shù)相關(guān)的EDA工具，包括但不限于設(shè)計(jì)流程自動(dòng)化、電路仿真分析等工具，重點(diǎn)突破傳統(tǒng)SPICE框架，仿真精度與實(shí)測(cè)電路性能相比誤差在10%以內(nèi)。
將開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新EDA工具推廣應(yīng)用至模擬與數(shù)模混合集成電路芯片設(shè)計(jì)中，提升芯片的設(shè)計(jì)質(zhì)量及性價(jià)比，并在芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)EDA工具的驗(yàn)證優(yōu)化及應(yīng)用。
申報(bào)要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)芯片設(shè)計(jì)單位與EDA工具研發(fā)單位聯(lián)合，EDA工具研發(fā)單位承擔(dān)不低于20%的工作量。
支持強(qiáng)度●●
擬支持1～2項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000萬(wàn)元/項(xiàng)。
項(xiàng)目3：存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)的EDA 技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用
研究?jī)?nèi)容●●
以提升廣東省存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)水平為目標(biāo)，通過(guò)EDA工具的優(yōu)化和創(chuàng)新，重點(diǎn)支撐新協(xié)議、存算一體、物理不可克隆、大容量、自糾錯(cuò)、穩(wěn)定性等芯片核心關(guān)鍵技術(shù)的攻克。
開(kāi)展集成電路設(shè)計(jì)方法學(xué)研究，針對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)（14納米或以下）存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)中晶體管密集，設(shè)計(jì)余量低，工藝偏差對(duì)芯片質(zhì)量和良率影響大等設(shè)計(jì)方法問(wèn)題，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，開(kāi)發(fā)與芯片設(shè)計(jì)核心關(guān)鍵技術(shù)相關(guān)的EDA工具，包括但不限于存儲(chǔ)編譯器、高精度仿真工具、快速驗(yàn)證工具等，充分利用存儲(chǔ)芯片陣列高度結(jié)構(gòu)化的特點(diǎn)，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)劃分，模型降階以及超大規(guī)模并行化等創(chuàng)新技術(shù)，在維持足夠低精度的前提下提高仿真效率、容量和速度；
研究快速蒙特卡洛方法等新技術(shù)，提升高Sigma驗(yàn)證的準(zhǔn)確性及速度。
將開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新EDA工具推廣應(yīng)用至閃存、DRAM、SRAM和MRAM等先進(jìn)存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)中，提升芯片的設(shè)計(jì)質(zhì)量及效率，并在芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中對(duì)實(shí)現(xiàn)EDA工具的優(yōu)化及應(yīng)用。
申報(bào)要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)芯片設(shè)計(jì)單位與EDA工具研發(fā)單位聯(lián)合，EDA工具研發(fā)單位承擔(dān)不低于20%的工作量。
支持強(qiáng)度●●
擬支持1 項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000 萬(wàn)元/項(xiàng)。
專題二：集成電路制造工藝（專題編號(hào)：20200128）
項(xiàng)目1：基于模擬特色工藝的器件精準(zhǔn)模型及PDK 工藝庫(kù)研發(fā)
研究?jī)?nèi)容●●
以重點(diǎn)提升廣東省模擬芯片，尤其高端數(shù)?；旌闲酒O(shè)計(jì)以及其工程化設(shè)計(jì)水平為目標(biāo)，攻克特色模擬半導(dǎo)體工藝、基于特色模擬工藝的精確器件物理模型以及芯片設(shè)計(jì)PDK 工藝庫(kù)。
從半導(dǎo)體材料本質(zhì)出發(fā)，開(kāi)展基礎(chǔ)性器件物理研究，突破可復(fù)制的從特色工藝、器件物理模型、到芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)。
圍繞高性能數(shù)?；旌闲酒O(shè)計(jì)需求及產(chǎn)業(yè)化“瓶頸”，重點(diǎn)研發(fā)能精確反映特色工藝的器件物理模型（包括不同偏置狀態(tài)、溫度條件、工藝角、工藝波動(dòng)等）以及其相關(guān)的噪聲模型和可靠性模型，構(gòu)建靈活、精簡(jiǎn)、高效的半導(dǎo)體器件緊湊模型，尤其是有源器件的模型，并能實(shí)現(xiàn)與各類EDA 工具的快速整合，提升仿真效率，優(yōu)化模型的收斂速度。
進(jìn)一步建立不少于一個(gè)典型芯片的基于特色工藝及模型的芯片設(shè)計(jì)PDK 工藝庫(kù)，開(kāi)發(fā)高端的數(shù)?；旌闲酒a(chǎn)品，包括但不限于高精度、低漂移電壓基準(zhǔn)，超低失調(diào)電壓放大器，高精度模數(shù)、數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片、IO 以及ESD 宏模型等，為芯片設(shè)計(jì)整體精準(zhǔn)仿真提供平臺(tái)。
申報(bào)要求●●
須芯片制造企業(yè)牽頭承擔(dān)。
支持強(qiáng)度●●
擬支持1 項(xiàng)，資助額度不超過(guò)2000 萬(wàn)元/項(xiàng)。
專題三：集成電路封裝關(guān)鍵技術(shù)（專題編號(hào)：20200129）
項(xiàng)目1：異構(gòu)集成關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用
研究?jī)?nèi)容●●
以研發(fā)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先進(jìn)的精細(xì)線路芯片間異構(gòu)互連多器件封裝為重點(diǎn)，開(kāi)展基于三維封裝、扇出封裝、晶圓級(jí)封裝、倒裝芯片封裝、DFN/QFN 無(wú)引線封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝、真空封裝、MEMS 技術(shù)等先進(jìn)封裝技術(shù)的集成創(chuàng)新研發(fā)，實(shí)現(xiàn)功能化元器件架構(gòu)創(chuàng)新、5μm 到40μm 的線寬線距的高帶寬芯片間的高能效處理器和儲(chǔ)存器互連、緊湊型系統(tǒng)集成等，在射頻模塊、功率器件、傳感器、存儲(chǔ)器單元、光電異構(gòu)器件，以及集成硅器件和無(wú)源器件（如大容量電容、特種電感、濾波器）等領(lǐng)域開(kāi)展產(chǎn)品應(yīng)用。
產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)要優(yōu)于傳統(tǒng)工藝的指標(biāo)，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。
掌握核心生產(chǎn)制造技術(shù)，儲(chǔ)備知識(shí)產(chǎn)權(quán)，為量產(chǎn)指明方向。
支持強(qiáng)度●●
擬支持2 項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000 萬(wàn)元/項(xiàng)。
項(xiàng)目2：先進(jìn)精細(xì)線路封裝面板級(jí)工藝研發(fā)
研究?jī)?nèi)容●●
開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)在200mm 以上面板尺寸基于高密度精細(xì)線路的剛性基板、柔性基板、剛?cè)峤Y(jié)合基板等高端封裝基板，推動(dòng)高密度高精度（最小線寬線距，放焊材料，開(kāi)孔等）和高性能（低損耗，高可靠性，小尺寸高頻）的封裝基板制造的自主可控國(guó)產(chǎn)化。
開(kāi)發(fā)面板級(jí)扇出封裝射頻和功率器件的量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)高集成度、小尺寸、價(jià)格有競(jìng)爭(zhēng)力的新面板級(jí)扇出封裝產(chǎn)業(yè)化，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。
申報(bào)要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報(bào)。
支持強(qiáng)度●●
擬支持1 項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000 萬(wàn)元/項(xiàng)。
專題四：集成電路裝備及零部件（專題編號(hào)：20200130）
項(xiàng)目1：遠(yuǎn)程等離子源研發(fā)
研究?jī)?nèi)容●●
研究基于高頻電壓的電極負(fù)直流電壓產(chǎn)生技術(shù)、正離子轟擊電極加速技術(shù)、雙高頻電壓離子轟擊及高離子通量放電協(xié)同控制技術(shù)、遠(yuǎn)程大口徑等離子產(chǎn)生及遠(yuǎn)程穩(wěn)定維持技術(shù)；
研究等離子體內(nèi)部離子密度測(cè)量、溫度測(cè)量，空間分布均勻性測(cè)量、自由基測(cè)定，借助發(fā)射光譜分析轉(zhuǎn)動(dòng)能帶，遠(yuǎn)程原位等離子體原位診斷技術(shù)、X 射線光譜和等離子體圖像獲取等原位測(cè)試分析技術(shù)，研制遠(yuǎn)程等離子體源設(shè)備，并在芯片制造行業(yè)開(kāi)展示范應(yīng)用，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。
支持強(qiáng)度●●
擬支持1 項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000 萬(wàn)元/項(xiàng)。
項(xiàng)目2：高溫高精度分子束源爐研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
研究?jī)?nèi)容●●
面向量子器件、紅外與毫米波器件以及5G 通訊技術(shù)發(fā)展需求，開(kāi)展分子束（MBE）源爐加熱單元的熱力學(xué)分析，突破凸凹熱屏蔽技術(shù)和寬接觸補(bǔ)償熱偶控溫技術(shù)，實(shí)現(xiàn)多溫區(qū)高精度測(cè)溫、控溫與保溫結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，研制具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高溫高精度MBE 源爐，并在國(guó)產(chǎn)FW-VI 型分子束外延設(shè)備上開(kāi)展示范應(yīng)用，外延生長(zhǎng)出GaAs、AlGaAs、InGaAs等高質(zhì)量材料，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，滿足新型器件的制備需求。
支持強(qiáng)度●●
擬支持1 項(xiàng)，資助額度不超過(guò)2000 萬(wàn)元/項(xiàng)。
項(xiàng)目3：碳化硅高溫氧化爐裝備研發(fā)
研究?jī)?nèi)容●●
研發(fā)高溫氧化爐裝備，研究降低單極性器件金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）柵介質(zhì)SiO2與碳化硅（SiC）之間的界面態(tài)密度的技術(shù)，提升溝道載流子遷移率；
調(diào)控混合型雙極型器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT）結(jié)構(gòu)中的n型漂移區(qū)以及p型空穴注入?yún)^(qū)的載流子壽命。提高遷移率，降低器件的導(dǎo)通損耗；
將載流子壽命控制在一定范圍之內(nèi)，大幅提升SiC器件的高頻性能，保持器件開(kāi)關(guān)頻率特性的同時(shí)使關(guān)斷損耗下降，從而降低器件的功耗，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。
支持強(qiáng)度●●
擬支持1 項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000 萬(wàn)元/項(xiàng)。
項(xiàng)目4：半導(dǎo)體設(shè)備用低溫泵研發(fā)
研究?jī)?nèi)容●●
研究小型G-M 制冷機(jī)的超低溫氣體捕獲機(jī)理及氦氣專用壓縮機(jī)技術(shù)，對(duì)制冷機(jī)單元和真空抽氣單元的進(jìn)行模型和設(shè)計(jì)仿真；
開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的低溫泵智能控制系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)低溫泵組控制系統(tǒng)；
研究大抽氣容量和快速壓力回收技術(shù)，開(kāi)發(fā)薄壁氣缸、超低溫（10K）回?zé)崞?、超低溫?0K）密封件等核心零部件量產(chǎn)技術(shù)；
建立半導(dǎo)體用低溫泵評(píng)價(jià)體系，制定半導(dǎo)體用低溫泵相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。
研發(fā)半導(dǎo)體用低溫泵系統(tǒng)與高端裝備國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備專用低溫泵，并開(kāi)展產(chǎn)業(yè)化量產(chǎn)研究，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。
支持強(qiáng)度●●
擬支持1 項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000 萬(wàn)元/項(xiàng)。
項(xiàng)目5：高精度無(wú)掩模激光直寫(xiě)制版技術(shù)與裝備
研究?jī)?nèi)容●●
研究可用于穩(wěn)定制作高精度集成電路掩模版的高性能激光直寫(xiě)裝備關(guān)鍵工藝技術(shù)，研究激光光束準(zhǔn)直、擴(kuò)束和聚焦，鏡頭設(shè)計(jì)，電動(dòng)平臺(tái)傳動(dòng)控制（主要為工件臺(tái)速度與精度），視覺(jué)識(shí)別及反饋控制，拼接及套刻精度控制，系統(tǒng)控制軟件的設(shè)計(jì)等環(huán)節(jié)關(guān)鍵技術(shù)，研究整機(jī)制造技術(shù)，開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)產(chǎn)高精度無(wú)掩模激光直寫(xiě)制版裝備，在高精度光學(xué)掩模版及傳感器芯片等制造中開(kāi)展示范應(yīng)用，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。
支持強(qiáng)度●●
擬支持1 項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000 萬(wàn)元/項(xiàng)。
項(xiàng)目6：300mm 圖形套刻對(duì)準(zhǔn)測(cè)量設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
研究?jī)?nèi)容●●
面向國(guó)內(nèi)20-14nm 節(jié)點(diǎn)的集成電路檢測(cè)和測(cè)量需求，開(kāi)發(fā)圖形套刻對(duì)準(zhǔn)測(cè)量設(shè)備，突破關(guān)鍵技術(shù)，獲得核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
完成關(guān)鍵技術(shù)與核心部件研發(fā)，包括高數(shù)值孔徑高角分辨率散射成像技術(shù)、多通道高信噪比光譜信號(hào)提取技術(shù)、高精度套刻量測(cè)信號(hào)解析技術(shù)、強(qiáng)魯棒性自適應(yīng)光學(xué)聚焦技術(shù)、高速高精度晶圓運(yùn)動(dòng)位移控制技術(shù)、高速圖像數(shù)據(jù)處理技術(shù)等。
支持強(qiáng)度●●
擬支持1 項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000 萬(wàn)元/項(xiàng)。
專題五：集成電路創(chuàng)新生態(tài)（專題編號(hào)：20200131）
項(xiàng)目1：面向國(guó)產(chǎn)計(jì)算芯片生態(tài)的技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用
研究?jī)?nèi)容●●
研究基于國(guó)產(chǎn)計(jì)算芯片的自主可控計(jì)算平臺(tái)技術(shù)，開(kāi)展高能效、低功耗的體系架構(gòu)創(chuàng)新，優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)，提升芯片計(jì)算能力，形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
針對(duì)數(shù)據(jù)中心大數(shù)據(jù)計(jì)算、分布式存儲(chǔ)、ARM 原生應(yīng)用等場(chǎng)景，優(yōu)化分支預(yù)測(cè)算法、提升運(yùn)算單元數(shù)量、改進(jìn)內(nèi)存子系統(tǒng)架構(gòu)，提高國(guó)產(chǎn)芯片性能。
研究?jī)?yōu)化系統(tǒng)適用性和集成度的架構(gòu)創(chuàng)新方法，實(shí)現(xiàn)不同功能類型芯片的異構(gòu)集成。
研究示范應(yīng)用所需要的應(yīng)用遷移技術(shù)、性能分析調(diào)優(yōu)技術(shù)，面向重點(diǎn)行業(yè)和關(guān)鍵業(yè)務(wù)，有效開(kāi)展計(jì)算平臺(tái)在相關(guān)領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化示范應(yīng)用，提升國(guó)產(chǎn)計(jì)算平臺(tái)的競(jìng)爭(zhēng)力和產(chǎn)業(yè)規(guī)模。
申報(bào)要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報(bào)。
支持強(qiáng)度●●
擬支持1 項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000 萬(wàn)元左右/項(xiàng)。
項(xiàng)目2：面向星基增強(qiáng)高精度超低功耗北斗芯片生態(tài)的技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用
研究?jī)?nèi)容●●
針對(duì)國(guó)產(chǎn)衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)在航空、交通、智慧物聯(lián)、船舶、應(yīng)急救援等重點(diǎn)領(lǐng)域的應(yīng)用需求，研制新一代基帶信號(hào)處理、射頻信號(hào)處理、多源融合一體化定位、定位與短報(bào)文一體化等芯片與模組，優(yōu)化并完善國(guó)產(chǎn)衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的生態(tài)鏈。
針對(duì)當(dāng)前終端產(chǎn)品定位精度不足、抗干擾能力差等現(xiàn)狀，突破衛(wèi)星信號(hào)高精度跟蹤、信源識(shí)別防欺騙等關(guān)鍵技術(shù)，研制高精度、抗干擾基帶信號(hào)處理芯片與射頻信號(hào)處理芯片。
針對(duì)模組功耗高、體積大等現(xiàn)狀，突破多源融合定位信號(hào)接入、低噪聲射頻接收與抗干擾等技術(shù)，研制低功耗、低成本、多源融合一體化定位芯片。
針對(duì)遠(yuǎn)洋漁業(yè)、航運(yùn)等領(lǐng)域中全球覆蓋性要求高、全球短報(bào)文服務(wù)系統(tǒng)容量大等應(yīng)用需求，突破智能位姿感知、選頻發(fā)射等技術(shù)，研制定位與短報(bào)文一體化芯片。
選擇上述的一個(gè)方向開(kāi)展研究，所研發(fā)芯片應(yīng)通過(guò)第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)的檢測(cè)與認(rèn)證，在具體民用產(chǎn)品上取得規(guī)?；瘧?yīng)用與推廣。
申報(bào)要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報(bào)。
支持強(qiáng)度●●
擬支持1 項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000 萬(wàn)元/項(xiàng)。
項(xiàng)目3：大型裝置中高性能電子元器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
研究?jī)?nèi)容●●
汽車電子系統(tǒng)、空調(diào)系統(tǒng)、高端電視（4K 和8K 等）等裝置中大量使用的高性能處理器和大功率驅(qū)動(dòng)器件，如微控制器、模數(shù)數(shù)模轉(zhuǎn)換器件、電源管理器、射頻模塊/芯片、功率驅(qū)動(dòng)器件等，對(duì)整機(jī)成本與性能具有決定性作用。
本專題擬以裝置中使用的高性能集成電路開(kāi)展高性能電子元器件研發(fā)攻關(guān)，并完成實(shí)際應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)化，形成知識(shí)產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)品。
工業(yè)類控制器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、處理器等，開(kāi)展系統(tǒng)上優(yōu)化集成，突破創(chuàng)新架構(gòu)，在算力提升和先進(jìn)工藝制造、系統(tǒng)集成與開(kāi)發(fā)、高性能編/解碼等方面取得突破；
電源管理芯片在精密基準(zhǔn)技術(shù)、高響應(yīng)高可靠性控制技術(shù)、噪聲和紋波抑制技術(shù)，提高芯片應(yīng)用水平的上取得突破；
功率驅(qū)動(dòng)器件在可靠性、擊穿電壓和工作結(jié)溫提升上實(shí)現(xiàn)突破。
通過(guò)本項(xiàng)目的實(shí)施，鼓勵(lì)具有廣泛產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)、良好投資實(shí)力和研發(fā)能力的大企業(yè)發(fā)揮自身的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，瞄準(zhǔn)最核心部件開(kāi)展研發(fā)，實(shí)現(xiàn)核心半導(dǎo)體芯片和元器件的國(guó)產(chǎn)以及整機(jī)系統(tǒng)應(yīng)用。
申報(bào)要求●●
須企業(yè)牽頭，鼓勵(lì)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合方式申報(bào)。
支持強(qiáng)度●●
擬支持2 項(xiàng)，資助額度不超過(guò)1000 萬(wàn)元/項(xiàng)。
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